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亚森江•吾甫尔
2019-11-01 11:41     (查看次数)
亚森江•吾甫尔  副教授
       亚森江•吾甫尔:男,维吾尔,1974年生,中共党员,副教授、硕士学位(博士研究生结业),多年来从事大学及大学物理实验、基础物理、近代物理实验等相关领域的教学、研究工作。参与国家自然科学基金项目几项、在国内外重要学术刊物上发表教研论文几篇、学术论文10多篇。

参加的主要科研项目:

       1. 国家自然科学基金项目、11664039、极端强激光与等离子体相互作用中的非线性量子电动力学问题研究、2017/01-2020/12、42万元、在研项目、参加。

       2. 国家自然科学基金项目、61366001、高k材料MOSFET沟道电子迁移率的增强研究、2014/01-2017/12、44万元、已结题、参加。

发表主要学术论文:

       (1)Ilmira Rozahun; Tohtiaji Bahti; Guijie He; Yasenjan Ghupur etc., GaAs monolayer: Excellent SHG responses and semi metallic to metallic transition modulated by vacancy effect,Applied Surface Science, 2018, 441: 401~407    (期刊论文)

       (2)Baolong Gao; Mamatrishat Mamat*; Yasenjan Ghupur etc.; In situIn situ study on the thermal stability and interfaces properties of Er2O3/Al2O3/Si multi stacked films byX-ray photoelectron spectroscopy, Superlattices and Microstructures, 2017.2.27, 104 (期刊论文)

       (3)Yarong Lu; Mamatrishat Mamat*; Hoernisa Iminniyaz; Yasenjan Ghupur etc.;;  Catalytic performance and room temperature ferromagnetism of TiO2 doped with non-metallic elements, Quarterly Physics Review, 2017.7.1, 3(2): 1~10    (期刊论文)

       (4)Yasenjan Ghupur; Mamtimin Geni*; Mamatrishat Mamat etc. The effects of drain scatterings on the electron transport properties of strained-Si diodes with ballistic and non-ballistic channels,Chinese Journal of Semiconductors, 2015.4.1, 36(4): 044004    (期刊论文)

       (5)亚森江•吾甫尔; 买买提明•艾尼*; 买买提热夏提•买买提等, 高k栅介质对短沟道双栅极MOSFET性能的影响, 永利集团学报(自然科学版), 2015, (3): 373~378    (期刊论文)

       (6)亚森江•吾甫尔; 买买提明•艾尼*; 买买提热夏提•买买提等, 沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响, 材料导报, 2015.5.25, (S1): 106~110    (期刊论文)

       (7)Yasenjan Ghupur; Mamtimin Geni*; Mamatrishat Mamat etc., The effects of multiple scattering on performance of ballistic channel Strained-Si diodes, 6th FTRA International Conference on Computer Science and its Applications, 2014.12.17-2014.12.19    (会议论文)

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