阿布来提·阿布力孜，男，维吾尔族，中共党员，理学博士，副教授，硕博士研究生导师。2017年6月在武汉大学获凝聚态物理理学博士学位。2017年7月进入yl9193永利官网任教，主要研究方向是高性能薄膜晶体管及其相关问题研究，重点研究氧化物薄膜晶体管以及晶体管在平板显示器中的应用。主持国家自然科学基金，自治区自然基金和省部级人才项目等多项。从事科研工作以来在ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction Electron Devices, Applied Surface Science, Journal of Physics D: Applied Physics, Chinese Journal of Physics 等专业学术期刊上已发表SCI学术论文30篇，国家发明专利一项。从参加工作以来，先后承担本科生大学物理实验、大学物理和研究生半导体物理等课程的教学。

       [1] 国家自然科学基金地区项目，2021.1-2024.12，负责人，在研；

       [2] 科技部重大专项 (国际合作) 项目子课题，2023.4-2026.3，负责人，在研；

       [3] 自治区天山英才青年拔尖科技创新人才项目，2023.3-2026.3，负责人，在研；

       [4] 自治区自然科学基金面上项目，2022.12-2025.12，负责人，在研；

       [5] 国家自然科学基金青年项目，2019.1-2021.12，负责人，已结题；

       [6] 自治区自然科学基金青年项目，2018.7-2021.6，负责人，已结题；

       [7] 自治区天山青年博士人才项目，2020.1-2022.12，负责人，已结题；

       [8] 自治区天池优秀博士人才项目，2018.8-2020.7，负责人，已结题；

       [9] 永利集团博士启动基金，2019.1-2020.12，负责人，已结题；

       [10] 自治区计量测试研究院 (横向项目)，2021.1-2021.12，项目负责人，已结题。

       (1) Patigul Nurmamat, Ablat Abliz*, Rational Design of Different Ga Content Bilayer InGaZnO Thin-Film Transistors With Al2O3HfO2 Passivation Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 71 (2024) 3032-3038.

       (2) Zhenyu Han, Jiajun Han, Ablat Abliz*, Enhanced electrical performance of InGaSnO thin-film transistors by designing a dual-active-layer structure”, Applied Surface Science, 648 (2024) 158995.

       (3) Jiajun Han, Qingfeng He, Ablat Abliz*, Fabrication and investigation of the electrical performance of nitrogenated bilayer ZnONZnO thin-film transistors, Chinese Journal of Physics, 85 (2023) 318-325.

       (4) Ablat Abliz*, Patigul Nurmamat, Da Wan,“Rational design of oxide heterostructure InGaZnOTiO2 for high-performance thin-film transistors”, Applied Surface Science, 609 (2023) 155257.

       (5) Jiajun Han , Ablat Abliz*, Da Wan* “Impact of hydrogen plasma treatment on the electrical performances of ZnO thin-film transistors”, Chinese Journal of Physics, 77 (2022)327-334.

       (6) Ablat Abliz*, X. Xue, X. Liu*, G. Li, L. Tang, “Rational design of hydrogen and nitrogen co-doped ZnO for high performance thin-film transistors”, Applied Physics Letters, 118 ( 2021) 123504.

       (7) Ablat Abliz*, “Hydrogenation of Mg-Doped InGaZnO Thin-Film Transistors for Enhanced Electrical Performance and Stability”, IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021) 3379-3383.

       (8) Ablat Abliz*, A. Rusul*, H. Duan, A. Maimaiti, L. Yang, M. Zhang, Z. Yang “Investigation of the electrical properties and stability of HfInZnO thin-film transistors”, Chinese Journal of Physics, 68 (2020)788-795.

       (9) Ablat Abliz*, D. Wan*, H. Duana, L. Xu “Low-frequency noise in high performances and stability of Li-doped ZnO thin-film transistors”, Journal of Physics D Applied Physics, 53 (2020) 415110.

       (10) Ablat Abliz*, “Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical performances and reliability of InGaZnO thin-film transistors ”, Journal of Alloys and Compounds, 831 (2020) 154694.

       (11) Ablat Abliz, L. Xu*, H. Duan, J. Wang, S. Luo, C. Liu*, “Effects of yttrium doping on the electrical performances and stability of ZnO thin-film transistors”, Applied Surface Science, 475 (2019) 565-570.

       (12) Ablat Abliz*, D. Wan, L. Xu, H. Duan*, “Investigation on the electrical performances and stability of W-doped ZnO thin-film transistors”, Materials Science in Semiconductor Processing, 95 (2019) 54-58.

       (13) Ablat Abliz, D. Wan, Y. Yang*, H. Duan, L. Liao*,“Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer”, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 2844-2849.

       (14) Ablat Abliz, Q. Gao, D. Wan, X. Liu, L. Xu, L. Liao*, C. Liu*, C. Jiang, X.   Li, H. Chen, T. Guo, “Effects of nitrogen and hydrogen co-doping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 10798-10804.

       (15) Ablat Abliz, C.-W. Huang, J. Wang, L. Xu, L. Liao*, X. Xiao, W.-W. Wu, Z. Fan, C. Jiang, J. Li, S. Guo, C. Liu, T. Guo, “Rational design of ZnOHZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016) 7862-7868.

       (16) Ablat Abliz, J. Wang, L. Xu, D. Wan, L. Liao*, “Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnOH layer”, Applied Physics Letters,108 (2016) 213501.

      (1) 阿布来提·阿布力孜，阿合买提江·买买提*，杨氏模量教学实验的改进，大学物理实验，2021, 34 (3): 31-35.

      (2) 阿布来提·阿布力孜*，大学物理实验教学改革与探索，科教导刊，2021, 1 (2): 144-145.

      (3) 阿布来提·阿布力孜*，大学物理教学中强化创新素质与能力的培养，教育现代化，2020, 7 (65): 138-141.

       [1] 2022年，自治区“天山英才-青年拔尖科技创新人才”入选者；

       [2] 2020年，自治区“天山雪松青年博士”人才入选者；

       [3] 2018年，自治区“天池优秀博士”人才入选者；

       [4] 2017年，武汉大学“博士研究生学术创新奖”二等奖；

       [5] 2016年，武汉大学博士研究生国家奖学金；

       [6] 2015年，武汉大学优秀博士研究生.